随着数据信息的爆炸性增长和微电子加工工艺逼近物理极限,互补金属氧化物半导体(CMOS)器件难以应用于大规模神经形态器件的构建.采用非CMOS器件实现突触可塑性模拟被认为是后摩尔时代构造人工神经网络的关键.在众多的非CMOS器件中,忆阻器具有电导可调、结构简单等优点,被认为是再现神经突触功能、实现计算存储一体化的基础元件.在众多类型的忆阻器中,基于电化学金属化机制(ECM)的忆阻器具有机理明确、可超高密度集成、对材料属性不敏感等优点,特别适合应用于电子突触的构建.但ECM电子突触存在着电导可控性不足的问题,制约着高性能神经形态器件的实现.国内外研究人员针对ECM电子突触的电导可控性展开了大量研究.本综述从器件结构和材料角度梳理了ECM电子突触电导可控性的优化方法.