Indexed by：
Abstract：
提出了一种采用0.13 μm SiGe工艺制作的77 GHz功率放大器.该放大器采用两路合成结构提高输出功率,采用两级差分放大结构提高增益.功率级选择Cascode结构,提升功率级输出阻抗,便于匹配.驱动级选择共射极加中和电容的结构,便于提升增益.在输入端,通过两路耦合线巴伦结构进行功率分配,得到两对差分信号,经过两路放大之后再通过两路耦合线巴伦结构进行功率合成,最后输出信号,级间匹配采用变压器匹配.该功率放大器采用ADS软件仿真.结果表明,在77 GHz的工作频点处,小信号增益为19.6 dB,峰值功率附加效率为11％,饱和输出功率为 18.5 dBm.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
CN： 50-1090/TN
Year： 2021
Issue： 3
Volume： 51
Page： 314-318
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
