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基于Cree公司GaN HEMT设计了一款适用于3.45 GHz 5G通信的Doherty功率放大器,其中,载波放大器工作于深AB类,峰值放大器偏置于C类。后仿真表明该放大器小信号增益为13 dB,饱和输出功率大于44.85 dBm(30 W),在饱和点的功率附加效率(PAE)为73.5%。在6 dB回退点效率高达65.2%,与传统AB类放大器相比,效率提升了18%。利用峰均功率比为10 dB、5 MHz的单载波的FDD信号在3.45 GHz频点进行线性仿真,测得在34 dBm的平均输出功率下,邻道泄漏比(ACLR)和误差向量幅度分别为-32.1 dBc和7.768%。
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电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
CN： 51-1241/TN
Year： 2021
Issue： 01
Volume： 40
Page： 47-53
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