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本实用新型涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路。所述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接，输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接，分频器的输出端与温度传感器的输入端连接，温度传感器的输出端与非易失性存储器模块的输入端连接，非易失性存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接，第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接，第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本实用新型通过非易失性存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移，提高了频率稳定度。
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Type： 实用新型
Patent No.： CN202020437567.6
Filing Date： 2020/3/31
Publication Date： 2020/9/1
Pub. No.： CN211405972U
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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30 Days PV： 6
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