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本实用新型涉及一种基于SiC MOSFET的双Buck全桥逆变器。包括双Buck全桥逆变器单元、用于控制所述双Buck全桥逆变器单元以消除其周期性扰动的控制单元；所述双Buck全桥逆变器单元包括直流电压Ud，电容C，电阻R，二极管D1、D2、D3、D4，开关管S1、S2、S3、S4，其中，开关管S1、S2、S3、S4均为基于SiC MOSFET管；所述控制单元的输出端分别与开关管S1、S2、S3、S4的控制端连接。本实用新型通过控制单元采用电压外环迭代学习控制+电流内环无差拍控制的双环控制策略不仅保留了双Buck全桥逆变器无桥臂直通问题，提高双Buck逆变器的输出效率，电压利用率高，且解决了直流电源波动、死区效应、稳态时线性和非线性负载电流扰动引起的周期性扰动问题。
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Type： 实用新型
Patent No.： CN201720745755.3
Filing Date： 2017/6/26
Publication Date： 2018/2/6
Pub. No.： CN206977325U
公开国别： CN
Applicants： 福州大学;;厦门科华恒盛股份有限公司
Legal Status： 授权
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30 Days PV： 3
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