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采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5 h)处理的半绝缘(SI)GaAs样品,利用表面光伏(SPV)方法,测量和计算了SI-GaAs在室温(300 K)下的主要施主浓度EL2、禁带宽度EgΓ和双极扩散长度La,并从理论上给出了相应的解释.
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福建师范大学学报：自然科学版
ISSN： 1000-5277
Year： 2003
Issue： 1
Volume： 19
Page： 41-44
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