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在密度泛函理论的框架下, 采用嵌入点电荷簇模型研究了 O2在 MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附 .用电荷自洽的方法确定了点电荷的值 .计算结果表明, O2倾向吸附在低配位的角 Mg2+端 .并且发现, 当 O2为平躺吸附时,键长有较大的拉伸,将有利于 O2的解离 .同时,分别计算了使用裸簇和嵌入表观± 2.0 e点电荷簇模型时的吸附能,并与采用电荷自洽方法的计算值进行了比较 .结果表明,电荷自洽方法更能有效反映簇周围的环境,得到的计算结果能够较好地与实验值吻合 .最后,分别计算了不同吸附情况下 O2的振动频率 .
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物理化学学报
ISSN： 1000-6818
Year： 2003
Issue： 5
Volume： 19
Page： 414-418
0 . 4 6 8
JCR@2003
1 0 . 8 0 0
JCR@2023
JCR Journal Grade：4
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