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在溶液的pH-2.7,离子浓度比Sn^2+/S2O3^2-=1/5和电流密度J=3.0mA/cm^2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,发现其颗粒较均匀,粒径大小在200~800nm之间.用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV.用四探针法测得其导电类型为p型,电阻率为7.5Ω·cm.
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半导体学报
ISSN： 1674-4926
Year： 2005
Issue： 6
Volume： 26
Page： 1173-1177
4 . 8 0 0
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