采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:A1203(2%A1203(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:m(AZ0)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪得到薄膜的表面电阻,轮廓仪测量了薄膜厚度,并计算了电阻率,最后采用分光光度计测量了薄膜的透过率;研究了溅射功率、溅射气压与薄膜厚度对薄膜电阻率及透过率的影响。结果表明:所制备的AZO薄膜具有(002)择优取向,并且发现薄膜厚度对薄膜的光电性能有明显影响,溅射气压和溅射功率对薄膜电学性能有较大影响,但是对薄膜透过率影响不大。当功率为1kW、溅射气压O.052Pa、AZO薄膜厚度为250nm时,其电阻率为8.38×10^-4Ω·cm,波长在550nm处透过率为89%,接近基底的本底透过率92%。当薄膜厚度为1125am时薄膜的电阻率降至最低(6.16×100Ω·cm)。