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念保峰 (念保峰.) [1] | 敬熠平 (敬熠平.) [2] | 王欣 (王欣.) [3] | 唐电 (唐电.) [4]

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对IrO2(110)表面几何和电子结构进行了计算。结果表明,弛豫后,表层的五配位Ir原子和二配位的氧原子(桥氧)相对于理想表面向体相方向移动,而六配位的Ir原子和三配位的O原子向真空方向弛豫。表面原子弛豫不仅导致表层结构的变化,而且使表层的电子结构发生变化。从表面态密度分布可知,对表面电子结构造成主要影响的是最外三层原子。同时,由构型的(010)平面的电荷密度分布可知相邻层间存在着强烈的Ir-O共价键作用;由于电荷在真空层的消耗和在第一、二原子层间的积累,导致最外原子层间距的减小,相应的Ir-O化学键得到增强。计算得到该IrO2(110)面的表面能大小为1.434 J·m-2。

Keyword:

IrO2(110)表面 密度泛函理论 电荷分布 表面弛豫

Community:

  • [ 1 ] 福州大学材料科学与工程学院,福建福州350108
  • [ 2 ] 福州大学材料研究所,福建福州350000

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Source :

材料热处理学报

ISSN: 1009-6264

Year: 2016

Issue: 10

Volume: 37

Page: 20-24

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