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通过分子动力学模拟方法对粗糙表面单晶铜基体进行了纳米刻划实验。分析了不同刻划深度下的基体材料变形及缺陷分布情况以及刻划过程中摩擦力、正应力的变化。结果表明,随着刻划深度的增大,得到的平均摩擦力和初始正应力极值均随之增大,同时基体材料变形加剧,基体内部各类材料缺陷增多,产生了更多的失效原子。基体应力-位移曲线在刻划过程中呈周期性变化,每次循环所得到的应力极值随着刻划位移不断递减。
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ISSN： 1000-7008
Year： 2020
Issue： 7
Volume： 54
Page： 68-72
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