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＜正＞GaN优良的光电特性,良好的机械性能及其特有的带隙范围(3．4ev),使其在光电器件及一些特种半导体器件等领域有着及其广泛的应用前景,一个重要内容是关于GaN表面氧化的研究,因为这关系到器件制造前的一项重要的表面处理技术-表面的钝化。本文采用第一性原理对O2吸附在GaN(0001)表面进行了详尽的研究。采用基于平面波基组的赝势从头算方法对GaN(0001)表面及其O2各吸附构型进行优化,选取八层平板来模
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Year： 2005
Language： Chinese
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