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＜正＞GaN等宽禁带ⅢA族氮化物是半导体产业发展中最重要的材料之一,其带隙为3．4eV,在短波长发光二极管、蓝紫色激光器和紫外探测器方面显示出广泛的应用前景。本文采用簇模型方法,以Gaussian03软件包中的组态相互作用(CIS)方法与时间相关的密度泛函(TDDFT)方法计算,并比较了GaN(0001)完整及Ga空缺表面的电子光谱。采用Ga13N13H25簇模型作为(0001)完整表面的计算模型,CIS方法与TDDFT方法的计算结果列于表1。TDDFT计算的宽谱带经Gaussian线型多峰拟合(图1),可以获得7条谱带,
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Year： 2005
Language： Chinese
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