Abstract：
用热蒸发法技术在 ITO 透明导电玻璃上沉积一层 Sn 膜,将其装入石墨盒里后,放在真空炉里面硫化处理,硫化温度在150～350℃之间．通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明退火温度在230～250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的 SnS 多晶薄膜,其均匀性和对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200～800nm．通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,计算得到其直接禁带宽度 E_g=1．38eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于10~4/cm,用霍尔测量系统测得其导电类型为 p 型,适合应用于太阳能电池的吸收层材料．
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Year： 2007
Language： Chinese
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