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＜正＞In2S3是一种n型半导体,禁带宽度Eg=1.9-2.0eV,属于窄禁带半导体,[1]应用于光导器件材料和太阳能电池,因此受到广泛的研究[2-4]。作为一种光催化剂至今还没有文献报道,经研究发现In2S3作为光催化剂能有效地利用可见光降解有机污染物。本文主要研究不同合成方法的In2S3在可见光下对甲基橙光降解情况。In2S3-a以InCl3.4H2O和Na2S为原料,低温水热合成;In2S3-b是以InCl3.4H2O和硫代酰胺为原料,在N2气氛下经过400°C焙烧合成。利用XRD、
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Year： 2007
Language： Chinese
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