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ThO_2作为新型核燃料,在轻水反应堆和高温气冷反应堆等领域具有重要的应用前景[1]。从安全使用和储存角度上来看,考察O_2分子在ThO_2表面的吸附和分解行为是十分必要的。本文采用基于赝势平面波基组的PBE+U方法,对存在FS0、FS+和FS2+三种类型色心的ThO_2(111)缺陷表面的构型和电子结构进行研究[2],并考察了O_2在三种缺陷表面的吸附构型和分解机理。研究结果表明,随着色心所带正电荷的增加,对应的缺陷构型更容易形成,FS0和FS+表面的电子均定域在缺陷位置(图a和图b),氧缺陷的形成不会导致周围Th原子5f轨道出现明显的电子占据情况。对于ThO_2(111)完整表面,O_2分...
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Year： 2017
Language： Chinese
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