Abstract：
基于密度泛函理论~([1]),我们研究了S掺杂对Sb_2Se_(3-x )S_x(x=0,0.125,0.25,0.5,0.75)的电子结构及光电性能的影响。采用HSE06杂化泛函方法~([2])对不同掺杂浓度体系的电子态密度、能带结构、差分电荷密度及吸收光谱进行了计算和分析,发现带隙随着掺杂浓度的增加呈现先减小后增大的趋势。当x=0.125和x=0.25时,带隙主要受到晶格畸变的影响,晶格畸变引起晶体场效应从而导致能带发生劈裂,带隙减小;当x=0.5和x=0.75时,带隙主要受到Sb_2Se_(3-x )S_x中共价性的影响,由于较多S的掺入,使得Sb、Se和S之间的相互作用增强,Sb_2S...
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Year： 2018
Language： Chinese
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