本文研究了热处理(200—1100℃)对自制的一种硅胶的表面结构的影响;测定了BET比表面(低温氮气吸附法)、孔体积、乙醇的吸附-脱附等温线,计算了孔径分布,求得了最可几Kelvin半径。结果表明,杂质的存在明显地降低硅胶的热稳定性。在发生熔结以前,孔径分布基本不变,当发生熔结时,孔半径显著减小。红外光谱的测定表明,随着热处理温度的升高,硅胶表面缔合羟基(～3500cm~(-1))迅速减少,在～800°时已去除殆尽,而自由羟基(～3720cm~(-1))减少缓慢,在1100℃时才迅速消失。X-射线衍射图表明,发生熔结后的硅胶显示有β-鳞石英的衍射峰,说明出现了有序晶相。对上述实验结果,文中作了...