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本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期 ,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响 ,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径 ,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据。
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人工晶体学报
Year： 2000
Issue： 04
Page： 376-380
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