Indexed by：
Abstract：
在密度泛函理论的框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了O_2在具有氧缺陷和镁缺陷MgO(001)表面上的吸附.用电荷自洽的方法确定了点电荷的值.计算结果表明,O_2倾向吸附在具有氧缺陷的MgO(001)表面上.通过和我们近期研究过的O_2在低配位的边、角上吸附结果相比较,发现具有氧缺陷的MgO(001)表面更加有利于O_2的吸附和解离.Mulliken电荷分析表明,电荷由底物向吸附的O_2反键轨道上转移是导致O_2键强削弱的主要原因.势能曲线表明,O_2在具有氧缺陷的MgO(001)表面上发生解离所需要克服的能垒比在角阳离子端发生解离所需克服的能垒有大幅度降低.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
物理化学学报
Year： 2003
Issue： 09
Page： 815-818
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 6
Affiliated Colleges：
