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用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜。通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60~100)nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104cm-1。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2Ω.cm。因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层。
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真空科学与技术学报
Year： 2005
Issue： 04
Page： 290-292,296
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