Indexed by：
Abstract：
基于固态电解质的金属氧化物薄膜晶体管具有良好的环境稳定性和优异的电学性能,因而具有巨大的应用潜力。针对传统基于固态电解质金属氧化物薄膜晶体管调控方式工艺复杂、制备时间长的问题,本文采用高k固态电解质Ta_2O_5作为栅绝缘层,透明氧化铟锡(ITO)作为有源层以及源漏电极,在沉积半导体层和电极之前,利用飞秒激光对Ta_2O_5绝缘层薄膜进行照射处理。探究了不同激光强度对固态电解质金属氧化物晶体管电学性能的影响。随着激光强度的提高,晶体管的开态电流提高,阈值电压负向漂移。同时,本文进一步探索了激光对固态电解质晶体管突触性能的影响,兴奋性后突触电流(EPSC)随着激光强度的增强而增加。XPS测试表明...
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
液晶与显示
ISSN： 1007-2780
CN： 22-1259/O4
Year： 2020
Issue： 11
Volume： 35
Page： 1103-1109
0 . 7 0 0
JCR@2023
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
