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利用透射电镜原位观察了单晶硅压痕裂纹尖端位错及位错偶沿滑移面的发射行为. 考察了滑移面取向、外荷对发射位错及塑性区的影响. 结果表明: 在I型载荷作用下, 滑移面与裂纹面夹角要影响从裂纹尖端发射的位错数量及塑性区. 发射出的位错可沿最大切应力方向改变运动方向或交换滑移面运动. 实验观察的位错宽度平均值为22 .0 nm, 与Peierls位错框架模型计算的23.6 nm相近.
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中国有色金属学报
ISSN： 1004-0609
CN： 43-1238/TG
Year： 2001
Issue： 5
Volume： 11
Page： 815-818
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