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采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层,研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响.结果表明:添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流,制备出tan δ为0.012(100 Hz),IL小于0.8 μA,且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器.
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电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
CN： 51-1241/TN
Year： 2007
Issue： 7
Volume： 26
Page： 38-41
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