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用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS:Ag薄膜.用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS:Ag薄膜出现了新物相Ag6SnS6,结晶度好,颗粒度大.用光电流测试研究了其导电性能,表明SnS:Ag薄膜是p型半导体材料.霍尔测量表明掺杂后载流子浓度增大,电阻率降低.
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半导体学报
ISSN： 0253-4177
CN： 11-1870/TN
Year： 2008
Issue： 12
Volume： 29
Page： 2322-2325
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