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郑兴华 (郑兴华.) [1] (Scholars:郑兴华) | 张程 (张程.) [2] | 刘馨 (刘馨.) [3] | 汤德平 (汤德平.) [4] (Scholars:汤德平) | 肖娟 (肖娟.) [5]

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针对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12(x=0~0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(v=0~0.1)的陶瓷.通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理.结果表明:加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方(BCC)类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107Ω.cm显著提高到109 Ω·cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器(IBLC)所致.在较低温度下(<1 100℃)烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法.

Keyword:

CaCu3Ti4O12陶瓷 低介电损耗 内部阻挡层电容器(IBLC) 巨介电常数

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  • [ 1 ] [郑兴华]福州大学
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  • [ 4 ] [汤德平]福州大学
  • [ 5 ] [肖娟]福州大学

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Source :

中国有色金属学报

ISSN: 1004-0609

CN: 43-1238/TG

Year: 2011

Issue: 3

Volume: 21

Page: 630-635

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