采用传统的光刻技术制备平栅极场致发射阴极阵列,利用水热法原位合成　ZnO　发射源,并组装成平栅极　ZnO　场致发射电子源；利用光学显微镜、SEM　和　XRD　表征其微观结构,分析　ZnO　发射源的生长机制,并结合场发射测试系统研究其发射特性.结果表明,ZnO　发射源是平均直径为300　nm　的六方纤锌矿氧化锌纳米棒,且沉积在平栅极场致发射阴极阵列的阴极电极表面.场发射测试表明,平栅极　ZnO　场致发射电子源的发射特性完全由栅极控制.当阳极电压为2000　V,器件的开启电压为150　V；当栅极电压为275　V　时,发射电流可达345μA；在栅极电压为260　V时,器件的发射电流波动范围为±5．5％左右,发光亮度高达750　cd/m2,表明该器件具有较好的场发射特性.