• Complex
  • Title
  • Keyword
  • Abstract
  • Scholars
  • Journal
  • ISSN
  • Conference
成果搜索

author:

高锋淋 (高锋淋.) [1] | 黄世震 (黄世震.) [2] (Scholars:黄世震) | 林伟 (林伟.) [3] (Scholars:林伟) | 陈学清 (陈学清.) [4]

Abstract:

本文介绍了基于SiGe5AM工艺的A-MOS变容管的结构、基本工作原理及其仿真模型,并在CADENCE ADE用SpectreRF仿真软件对其特性和其在VCO的典型应用电路进行了仿真。结果表明,这种变容管可提供的电容动态范围较大,具有较好的单调线性度,可工作的频率范围大,为压控振荡器的变容设计提供了很好的选择。

Keyword:

SiGe5AM工艺 压控振荡器 变容管 积累型MOS

Community:

  • [ 1 ] [高锋淋]福州大学 福州 350002 福建省微电子集成电路重点实验室 福建福州 350002
  • [ 2 ] [黄世震]福州大学 福州 350002 福建省微电子集成电路重点实验室 福建福州 350002
  • [ 3 ] [林伟]福州大学 福州 350002 福建省微电子集成电路重点实验室 福建福州 350002
  • [ 4 ] [陈学清]福州大学 福州 350002 福建省微电子集成电路重点实验室 福建福州 350002

Reprint 's Address:

Email:

Show more details

Related Keywords:

Related Article:

Source :

Year: 2007

Page: 482-485

Language: Chinese

Cited Count:

WoS CC Cited Count:

SCOPUS Cited Count:

ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All

WanFang Cited Count: -1

Chinese Cited Count:

30 Days PV: 2

Online/Total:119/10029190
Address:FZU Library(No.2 Xuyuan Road, Fuzhou, Fujian, PRC Post Code:350116) Contact Us:0591-22865326
Copyright:FZU Library Technical Support:Beijing Aegean Software Co., Ltd. 闽ICP备05005463号-1