Abstract：
特殊的暴露晶面可以更精确地评价半导体光催化剂的表面性质，从而进一步可控地优化催化剂的光催化活性[1-2]。近年来，暴露晶面及其改性得到了广泛的研究。本文硝酸铋和偏钒酸铵为原料，以氧化石墨烯(GO)为碳源并控制其与钒酸铋的质量百分比，采用水热法制备C 修饰的BiVO4(简称C/BVO)。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
Year： 2014
Page： 591-592
Language： Chinese
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 3
Affiliated Colleges：
