Abstract：
采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb2Se3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4eV左右。探索了不同退火温度对Sb2Se3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备了FTO/CdS/Sb2Se3/AL结构的电池,效率为0.047%.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
科技与创新
ISSN： 2095-6835
Year： 2018
Issue： 005
Volume： 000
Page： P.72-73
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
