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运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料ＩｎＳｂ和ＨｇＣｄＴｅ价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性
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物理学报
ISSN： 1000-3290
CN： 11-1958/O4
Year： 1997
Issue： 05
Page： 133-137
0 . 8 0 0
JCR@2023
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