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使用溶胶-凝胶法制备N:ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8 K)及变温条件(8～200 K)下的光致发光(PL)光谱.分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255～0.31 eV范围内.研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
CN： 32-1110/TN
Year： 2012
Issue： 2
Volume： 32
Page： 175-179
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